Применяется главным образом в процессах ICP-травления эпитаксиальных тонкопленочных материалов (GaN, SiO2 и прочих) светодиодных чипов на пластинах, в производстве прецизионных керамических деталей для диффузии в полупроводниковом производстве, а также при MOCVD-эпитаксии полупроводниковых пластин.

Применяется высокочистая безнапорно спеченная керамика из карбида кремния, которая отличается высокой твердостью, коррозионной стойкостью, износостойкостью, длительным сроком службы и прочими характеристиками. Изделие обладает высокой точностью и обеспечивает хорошую равномерность травления эпитаксиального слоя пластины. Диапазон диаметров: от 50 до 500 мм; толщина лотка от 3 до 20 мм; возможно проектирование и изготовление различных нестандартных изделий.