Применяется главным образом для ключевых процессов переднего этапа производства полупроводников: травления, осаждения тонких пленок, ионной имплантации, удаления фоторезиста и прочих.

В изделии применяется принцип электростатической адсорбции для плоской и равномерной фиксации ультратонких чистых пластин. Изделие характеризуется равномерным усилием адсорбции, отсутствием загрязнений и повреждений, а также применимостью в условиях высокого вакуума.

Материал: керамика на основе оксида алюминия (кулоновский тип, чистота 96%, 99,6%); возможна поставка изделий размером до 12 дюймов включительно; рабочая температура от -30 до +180 °C. Керамическая поверхность может иметь прорезаемые канавки, тиснение, настраиваемую шероховатость.