Применяются главным образом в мощных радиочастотных устройствах (усилители РЧ и микроволнового диапазона), мощных устройствах (диоды лазерных трубок, матрицы диодов лазерных трубок, мощные транзисторы), а также в устройствах на составных полупроводниках: GaN, GaAs, SiC и др.

Изделие отличается высокой механической прочностью, хорошей электрической изоляцией, низкой диэлектрической проницаемостью и малым весом. Теплопроводность при комнатной температуре более чем в 5 раз превышает теплопроводность меди, что позволяет полупроводниковым устройствам достигать более высокой удельной мощности и повышать надежность в меньшем объеме. Является наилучшим материалом для отвода тепла от устройств с высокой плотностью теплового потока.