Применяется главным образом для высокопроизводительной и прецизионной резки полупроводниковых пластин: кремниевых, пластин из составных полупроводников (SiC, GaAs, GaP и т. д.), оксидных полупроводниковых пластин (LiTaO3 и др.) с получением сингулированных чипов.

Режущая кромка изготавливается по технологии прецизионного электроформирования; диапазон толщины диска составляет 10 мкм ~ 100 мкм, диапазон зернистости микропорошка - 1500 # ~ 5000 #. 

Предусмотрено 6 уровней концентрации абразивных частиц, что обеспечивает применимость к более широкому диапазону типов пластин. Диски обладают превосходной универсальностью и адаптируются к требованиям резки в различных сложных сценариях, в том числе для режущих трактов, содержащих металлы, PI/PO и прочие рабочие условия. В средах, где режущая вода содержит CO2, диски проявляют превосходную коррозионную стойкость. При резке сверхтолстых пластин (например, чипов в корпусах уровня пластины WLP) форма паза сохраняет стабильное вертикальное состояние.