Применяется главным образом для ключевых процессов на переднем этапе производства чипов: фотолитографии, измерения расстояний, бондинга, отжига и прочих.

Изделие изготавливается методом спекания высокочистого порошка карбида кремния и отличается высоким модулем Юнга, плотной и однородной структурой, низким коэффициентом теплового расширения, длительным сроком службы. Особенно пригодно для передовых контрольных процессов, в которых предъявляются исключительно высокие требования к плоскостности, низкому содержанию частиц при адсорбции полупроводниковых чипов, а также к отсутствию загрязнения ионами металлов.

Глобальная плоскостность 12-дюймовой пластины составляет ≤ 0,3 мкм, локальная плоскостность ≤ 0,1 мкм. Поверхность может покрываться высокочистым покрытием. Для изделия предусмотрены развитые возможности проектирования патронов; обеспечивается удержание пластин с деформацией (warpage) до 0,8 мм. Удовлетворяются требования чистоты передовых технологических процессов.